SSD 250GB Samsung M.2 SATA (2280) 850 EVO Basic retail

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    Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die... mehr
    Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

    Bitte beachten Sie: Die Herstellergarantie des Artikels umfasst grundsätzlich alle Mängel, die innerhalb der Garantiezeit entstehen und nicht von Ihnen verursacht wurden. Die Garantieleistung des Herstellers erstreckt sich räumlich mindestens auf das Land der Bundesrepublik Deutschland. Bitte wenden Sie sich im Garantiefall an den Garantiegeber. Die Kontaktdaten für den entsprechenden Garantieanspruch entnehmen Sie bitte unserer Herstellerübersicht. Gesetzliche Gewährleistungsrechte werden durch eine zusätzliche Herstellergarantie nicht eingeschränkt.
    Allgemein
    Gerätetyp
    Solid-State-Disk - intern
    Kapazität
    250 GB
    Hardwareverschlüsselung
    Ja
    NAND-Flash-Speichertyp
    TLC (Triple-Level Cell)
    Formfaktor
    M.2 2280
    Schnittstelle
    SATA 6Gb/s
    Puffergröße
    512 MB
    Merkmale
    Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, DevSleep-Modus, Microsoft eDrive-kompatibel, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
    Breite
    22.1 mm
    Tiefe
    80.3 mm
    Höhe
    1.52 mm
    Leistung
    SSD-Leistung
    75 TB
    Übertragungsrate Laufwerk
    600 MBps (extern)
    Interner Datendurchsatz
    540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)
    Maximal 4 KB Random Write
    89000 IOPS
    Zuverlässigkeit
    MTBF
    1,500,000 Stunden
    Erweiterung und Konnektivität
    Schnittstellen
    1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
    Kompatibles Schaltfeld
    M.2 2280
    Stromversorgung
    Energieverbrauch
    50 mW (aktiv) ¦ 2.4 Watt (Durchschnitt) ¦ 3.7 Watt (Maximum) ¦ 2 mW (Sleep-Modus)
    Software & Systemanforderungen
    Software inbegriffen
    Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
    Herstellergarantie
    Service & Support
    Begrenzte Garantie - 5 Jahre
    Umgebungsbedingungen
    Min Betriebstemperatur
    0 °C
    Max. Betriebstemperatur
    70 °C
    Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
    1500 g @ 0,5 ms Halbsinus-Impuls