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Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die... mehr
Bitte beachten Sie: Die Herstellergarantie des Artikels umfasst grundsätzlich alle Mängel, die innerhalb der Garantiezeit entstehen und nicht von Ihnen verursacht wurden. Die Garantieleistung des Herstellers erstreckt sich räumlich mindestens auf das Land der Bundesrepublik Deutschland. Bitte wenden Sie sich im Garantiefall an den Garantiegeber. Die Kontaktdaten für den entsprechenden Garantieanspruch entnehmen Sie bitte unserer Herstellerübersicht. Gesetzliche Gewährleistungsrechte werden durch eine zusätzliche Herstellergarantie nicht eingeschränkt.
Allgemein
Gerätetyp
Solid-State-Disk - intern
Kapazität
250 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
SATA 6Gb/s
Puffergröße
512 MB
Merkmale
Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, DevSleep-Modus, Microsoft eDrive-kompatibel, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite
22.1 mm
Tiefe
80.3 mm
Höhe
1.52 mm
Leistung
SSD-Leistung
75 TB
Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
89000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
50 mW (aktiv) ¦ 2.4 Watt (Durchschnitt) ¦ 3.7 Watt (Maximum) ¦ 2 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
Herstellergarantie
Service & Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Halbsinus-Impuls